大直徑晶片的清洗采用上述方法不好其清洗過程的完成，通常采用單晶片清洗法，其清洗過程是在室溫下重復(fù)利用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）產(chǎn)生氧化硅，稀釋的HF蝕刻氧化硅，同時清除顆粒和金屬污染物。根據(jù)蝕刻和氧化的要求采用較短的噴淋時間就可獲得好的清洗效果，不會發(fā)生交叉污染。后沖洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。為了避免水漬，采用濃縮大量氮氣的異丙基乙醇（IPA）進行干燥處理。單晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗過程中通過采用DI水及HF的再循環(huán)利用，降低化學品的消耗量，提高晶片成本效益。
隨著材料應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展，PTFE材料的三大缺點：冷流性、難焊接性、難熔融加工性正在逐漸被克服，從而使它在光學、電子、醫(yī)學、石油化工輸油防滲等多種領(lǐng)域的應(yīng)用前景更加廣闊。
PTFE的機械性能相對于其他塑料差一些，但在-73℃至204℃寬溫度范圍內(nèi)，其性能仍保持在有用的水平。通常通過添加一些填充物來增加其機械性能，它具有非常的熱電絕緣性能并且摩擦系數(shù)很低。PTFE非常致密且不能進行熔融加工，將其壓縮并燒結(jié)以形成有用的形狀。
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